Das Whitepaper zeigt, wie der „3-Level T-Type-Neutral Boost“ Gleichrichter optimal zum Einsatz kommt.

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Elektrofahrzeuge schnell und sicher laden

Eine der Herausforderungen bei E-Fahrzeugen ist das Batteriegewicht. Analog Devices geht dabei mit einem drahtlosen Batteriemanagement-System neue Wege.

Lotus setzt bei E-Fahrzeugen auf drahtloses Batteriemanagement | Batteriegewicht senken für leistungsstarke Elektrofahrzeuge | ➤ Jetzt Fachartikel lesen!

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Elektromechanik

Die Zukunft leistungsstarker Elektroautos im Blick

Automobilzulieferer Denso hat seinen ersten Wechselrichter mit Siliziumkarbid-Halbleitern entwickelt.

Elektrofahrzeuge: Denso entwickelt Wechselrichter mit SiC-Leistungshalbleitern

Lösungen zur effizienteren Nutzung elektrischer Energie sind gefragter denn je. In diesem Zusammenhang gewinnt das Sintern als Verbindungstechnik für Leistungshalbleiter an Bedeutung.

Transistoren aus Siliziumkarbid | Leistungshalbleiter sintern statt löten

Sintern statt löten für mehr Energieeffizienz

Kostal verwendet den neuesten CoolSiC-MOSFET von Infineon in seiner OBC-Plattform der nächsten Generation für chinesische OEMs.

Infineon Technologies präsentiert die neue Generation von 1200 V CoolSiC-MOSFETs im TO263–7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen, die Kostal für seine OBC-Plattform einsetzt.

Kostal verwendet Infineons neueste CoolSiC-MOSFETs in OBC-Plattform

Vitesco Technologies ist eine langfristige Partnerschaft mit Rohm eingegangen.

Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies (rechts) und Dr. Kazuhide Ino, Mitglied des Vorstands, Managing Executive Officer, CFO von Rohm (links) besiegeln die SiC-Lieferpartnerschaft.

Vitesco Technologies und Rohm schließen langfristige SiC-Lieferpartnerschaft

Stellantis und Foxconn haben mit SiliconAuto ein Joint-Venture gegründet.

Stellantis und Foxconn haben die Gründung ihres 50:50-Joint-Ventures SiliconAuto bekanntgegeben.

Stellantis und Foxconn: SiliconAuto entwickelt und verkauft Halbleiter

Operationsverstärker kommen in vielen Bereichen eines Elektrofahrzeugs vor. Für die schnelle und exakte Erfassung von Strömen bietet STMicroelectronics die TSV79x-Familie an.

Batteriemanagement-Systeme | Erfassung von Strömen 

Ströme umfassend überwachen

Die Batterie ist die teuerste Komponente eines E-Autos und sollte somit möglichst langlebig sein. Dafür spielt die Lebensdauer der einzelnen Zellen innerhalb des Batteriepacks eine wichtige Rolle.

Gleichmäßige Stromverteilung | Module in Batteriepacks für Elektroautos

Batterieleistung und  -kosten optimieren

Batteriemanagement-Systeme gehören ebenso wie Bordladegeräte, DC/DC-Wandler und Traktionswechselrichter zum Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen.

Intelligent battery junction box | Hardware-in-the-Loop | Batteriemanagement-System

Die Vision einer elektrischen  automobilen Zukunft

Infineon Technologies und Semikron Danfoss haben einen Vertrag über die Lieferung von siliziumbasierten Chips für die E-Mobilität unterzeichnet.

Analysten prognostizieren, dass bis zum Jahr 2028 zwei Drittel aller produzierten Fahrzeuge mit einem komplett oder teilweise elektrifizierten Antriebsstrang ausgestattet sind. Daher haben Infineon und Semikron Danfoss einen Volumenvertrag über die Lieferung von Leistungshalbleitern für die Elektromobilität unterzeichnet.

Elektromobilität: Infineon und Semikron Danfoss schließen Liefervereinbarung für Leistungshalbleiter

BorgWarner wird Leistungsbausteine von onsemi in seine Leistungsmodule für Traktionswechselrichter integrieren.

onsemi und BorgWarner erweitern ihre strategische Zusammenarbeit für Siliziumkarbid mit einem Gesamtwert von über 1 Milliarde Dollar.

BorgWarner und onsemi erweitern Zusammenarbeit für Siliziumkarbid

Miba plant, die Produktionsfläche für Leistungselektronik in der Südsteiermark mehr als verdoppeln, von heute 3.000 auf zukünftig 6.300 m2.

 Spatenstich in Kirchbach-Zerlach. Bürgermeister Anton Prödl, EBG Geschäftsführer & Werksleiter Louis Klein, Miba Vorstandsvorsitzender F. Peter Mitterbauer, EBG Geschäftsführer & Werksleiter Franz Konrad, General Manager der Miba Power Electronics Group Jens Kuschel, Landtagsabgeordneter Franz Fartek (vlnr)

Miba erweitert Standort in der Südoststeiermark

Diodes erweitert mit zwei neuen automotive-konforme Siliziumkarbid-/SiC-MOSFETs sein Angebot an Wide-Bandgap-/WBG-Halbleitern.

Diodes stellt mit dem DMWSH120H90SM4Q und DMWSH120H28SM4Q automotive-konforme Siliziumkarbid-/SiC-MOSFETs vor und erweitert damit sein Angebot an Wide-Bandgap-/WBG-Halbleitern.

SiC-MOSFETs für effiziente Automotive-Subsysteme

Volkswagen richtet seine Beschaffung für elektronische Bauteile und Halbleiter neu aus, um die Versorgung langfristig sicherzustellen.

Zukünftig will Volkswagen bei der Beschaffung des Konzerns in enger, partnerschaftlicher Kooperation mit den Tier1-Zulieferern definieren, welche Halbleiter und andere elektronische Bauteile verwendet werden.

Fahrerassistenzsysteme / Automatisiertes Fahren

Volkswagen organisiert Halbleiter-Beschaffung neu

Infineon will GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar übernehmen

Infineon Technologies und GaN Systems haben sich darauf geeinigt, dass Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird.

Infineon Technologies und GaN Systems haben sich darauf geeinigt, dass Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. Die Galliumnitrid-Technologie kommt beispielsweise in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge zum Einsatz.

Das Wide-Bandgap-Material Galliumnitrid (GaN) bietet im Vergleich zu Silizium Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eignet. Marktanalysten erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56 Prozent CAGR auf ca. 2 Milliarden US-Dollar steigt (vgl: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Mit der Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen erheblichen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap sowie eine weitere Stärkung seiner Marktposition an. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich.

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

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Infineon Technologies AG  

03032023_Infineon_GaNSystems_Übernahme

ausgabe 04/2023

ausgabe 03/2023

ausgabe 02/2023

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