Die Zuverlässigkeit von elektrischen Fahrzeug-Baugruppen wird mit den Prüfvorschriften LV 124 / LV 148 gewährleistet. Kennen Sie passende Messtechnik?

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LV 124 / 148 Prüfung mit dem Transienten-Rekorder

Semikron und Danfoss Silicon Power haben begonnen, als neues Unternehmen Semikron Danfoss zu agieren.

Handschlag zum Start des fusionierten Unternehmens: Claus A. Petersen, CEO von Semikron Danfoss und Karl-Heinz Gaubatz, CTO von Semikron Danfoss.

Grünes Licht für Leistungselektronikschmiede Semikron Danfoss

Infineon Technologies und II-VI Incorporated haben einen mehrjährigen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer unterschrieben.

SiC-Wafer spielen im Bereich Elektromobilität eine wichtige Rolle. Daher erweitert Infineon seine Lieferantenbasis.

Infineon unterzeichnet Liefervertrag für SiC-Wafer mit II-VI Incorporated

Gut ausgewählter Überstrom-, Transienten- und Verpolungsschutz ist entscheidend für Sicherheit und Komfort.

Ladesäulen / Ladekonzepte

Kfz-Sicherheit, passiv

Sensortechnik

Kfz-Sicherheit, aktiv

Energie-Management

Mikrosystemtechnik

Lade-Provider / Stromtankstelle

Schutz der Steuerschaltkreise für autonomes Fahren

Die Redaktion der HANSER automotive blickt auf die aus Automotive-Sicht relevanten Ereignisse des Monats August zurück.

Ob Wurm oder Nektar – wichtig ist es, früh zu agieren. Das gilt insbesondere auch für die Automobilbranche.

Batterien

Energiespeicherung

HMI, Bedienelemente, Displays

Energiemanagement / Ladetechnik

Connectivity (Bussysteme, Telekommunikation, 4G / 5G, WLAN)

Was im August aus Automotive-Sicht wichtig war

Eine der Herausforderungen bei E-Fahrzeugen ist das Batteriegewicht. Analog Devices geht dabei mit einem drahtlosen Batteriemanagement-System neue Wege.

Lotus setzt bei E-Fahrzeugen auf drahtloses Batteriemanagement | Batteriegewicht senken für leistungsstarke Elektrofahrzeuge | ➤ Jetzt Fachartikel lesen!

Leichtbau

Elektromechanik für Automobile

Elektromechanik

Die Zukunft leistungsstarker Elektroautos im Blick

NXP Semiconductors hat seine neue S32K39-Serie von Mikrocontrollern für Elektrofahrzeuge vorgestellt.

Die neuen S32K39-Bausteine von NXP unterstützen intelligente Fernsteuerungsanwendungen mit Time-Sensitive-Networking-Ethernet für zonale Fahrzeugarchitekturen.

Safety / Security

Messe electronica

hanser-automotive.de

NXP stellt MCUs der Serie S32K39 für Elektrofahrzeuge vor

Rohm hat mit Mazda und Imasen Electric eine Entwicklungsvereinbarung für Wechselrichter und SiC-Leistungsmodule unterzeichnet.

Ichiro Hirose, Direktor und Senior Managing Executive Officer; Aufsicht über Forschung und Entwicklung, Kosteninnovation und Innovation, Mazda (links) und Katsumi Azuma, Direktor und Senior Managing Executive Officer und COO, Rohm (rechts) besiegeln die zukünftige Entwicklungsvereinbarung.

Rohm, Mazda und Imasen entwickeln Wechselrichter für E-Achsen mit SiC-Leistungsmodulen

Die Redaktion der HANSER automotive blickt auf die aus Automotive-Sicht relevanten Ereignisse des Monats November zurück.

Kooperationen bündeln Know-how und Ressourcen – sie sind der Schlüssel, um automatisiertes und elektrisches Fahren so effizient wie möglich umzusetzen.

✓ Kooperationen ✓ Elektromobilität ✓ Siliziumkarbid-Technologie ✓ Security

Software / Betriebssysteme / KI

KFZ-Regelsysteme (Motor, Fahrwerk, Komfort, Licht, Getriebe)

Was im November aus Automotive-Sicht wichtig war

Nach einer digitalen Veranstaltung 2021 und einer abgespeckten Messevariante 2022 fand die diesjährige CES zu voller Größe zurück.

Erstes Messe-Highlight im noch jungen Jahr 2023: In Las Vegas fand vom 05. bis 08. Januar die Consumer Electronics Show statt.

Fahrerassistenzsysteme / Automatisiertes Fahren

Messe CES

CES 2023: Automotive-Highlights in Las Vegas

Renault und CEA entwickeln gemeinsam ein bidirektionales Ladegerät mit hohem Wirkungsgrad für Stromer.

Renault und das französische Kommissariat für Atomenergie und alternative Energien entwickeln gemeinsam ein bidirektionales Ladegerät mit hohem Wirkungsgrad für Elektrofahrzeuge.

Renault und CEA entwickeln bidirektionales Bordladesystem für Elektrofahrzeuge

Der neue Gate-Treiber-IC von Renesas unterstützt 1200-V-Leistungsbauelemente mit 3,75 kVrms Isolationsspannung.

Renesas stellt einen neuen Gate-Treiber-IC für IGBTs und SiC-MOSFETs zur Ansteuerung von EV-Wechselrichtern vor.

Gate-Treiber-IC für IGBTs und SiC-MOSFETs

Infineon Technologies startet mit dem Bau eines neuen Werks für Analog/ Mixed-Signal-Technologien und Leistungshalbleiter.

Infineon hat den Startschuss für ein neues Werk für Analog/ Mixed-Signal-Technologien und Leistungshalbleiter in Dresden getätigt.

Elektromobilität: Infineon startet Bau für neues Werk in Dresden

Die Redaktion der HANSER automotive blickt auf den Februar zurück.

Der Februar hielt nicht nur warme Temperaturen und erste Frühblüher bereit, sondern auch neue Kooperationen in der Automobilindustrie.

Was im Februar aus Automotive-Sicht wichtig war

In den elektrischen Antriebssträngen von BMW kommt für den 400-V-Gleichstrombus EliteSiC-Technologie von onsemi zum Einsatz.

Halbleiterhersteller onsemi stattet zukünftige elektrische Antriebsstränge von BMW mit den EliteSiC-Bausteinen aus.

BMW nutzt für Elektrofahrzeuge Siliziumkarbid-Technologie von onsemi

Infineon will GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar übernehmen

Infineon Technologies und GaN Systems haben sich darauf geeinigt, dass Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird.

Infineon Technologies und GaN Systems haben sich darauf geeinigt, dass Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. Die Galliumnitrid-Technologie kommt beispielsweise in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge zum Einsatz.

Das Wide-Bandgap-Material Galliumnitrid (GaN) bietet im Vergleich zu Silizium Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eignet. Marktanalysten erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56 Prozent CAGR auf ca. 2 Milliarden US-Dollar steigt (vgl: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Mit der Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen erheblichen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap sowie eine weitere Stärkung seiner Marktposition an. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich.

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

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Infineon Technologies AG  

03032023_Infineon_GaNSystems_Übernahme

ausgabe 01/2023

ausgabe 06/2022

ausgabe 05/2022

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