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15.06.2020

Vitesco und ROHM kooperieren

E-Mobilität

Vitesco Technologies, Antriebssparte von Continental, und ROHM Semiconductor haben vor kurzem eine Entwicklungspartnerschaft unterzeichnet, die im Juni 2020 beginnt. Vitesco wird SiC-Bausteine von Rohm nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge zu steigern. Mit ihrem höheren Wirkungsgrad nutzen SiC-Halbleiter die in der Batterie gespeicherte Energie besser aus. Auf diese Weise gewinnt das BEV an Reichweite, oder die Batterie kann kleiner ausfallen.

Ein weiterer wichtiger Schritt in Richtung effiziente Elektromobilität: Vitesco Technologies kooperiert mit ROHM auf dem Gebiet der SiC-Technologie. © Vitesco Technologies

„Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung. Da die Antriebsbatterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist, müssen alle Wandlungsverluste minimiert werden. Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems,“ sagt Thomas Stierle, Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco. „Um den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen, werden wir SiC-Bausteine von unserem bevorzugten Partner einsetzen. ROHM hat uns mit seinen Produkten überzeugt.“

„Wir freuen uns auf die künftige Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies“, sagt Dr. Kazuhide Ino, Corporate Officer, Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei ROHM Co.,Ltd. „Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber ICs. Gemeinsam mit Vitesco wollen wir die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und so eine nachhaltige Mobilität sichern.“

Den besten Wirkungsgrad mit SiC-Technik

Vitesco entwickelt und testet SiC-Technik bereits in einem 800 Volt Inverterkonzept. Bei diesem Programm ruht das Augenmerk auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine, um die beste Kombination aus Bausteintechnik und Schaltstrategie zu bestimmen. SiC-Leistungshalbleiter (z.B. SiC MOSFET für 800 Volt-Batteriesysteme, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine. Außerdem ist die SiC-Technik für superschnelle Ladeverfahren mit 800 Volt wichtig. Im Rahmen der Kooperation werden ROHM und Vitesco daran arbeiten, die beste Kombination von SiC-Technik für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für höchste Effizienz zu schaffen.

„Die SiC-Option ist ein vielversprechender zukünftiger Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems aus Software, Leistungsendstufe und Schaltstrategie”, sagt Dr. Gerd Rösel, Leiter Innovation der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco. „Wir werden mit ROHM sowohl an einer 800 Volt SiC-Inverterlösung als auch an einer 400-Lösung arbeiten.“ Vitesco plant den Produktionsstart der ersten SiC-Inverter ab dem Jahr 2025, der Zeitpunkt, für den eine deutlich zunehmende Nachfrage erwartet wird.

Die bevorzugte Partnerschaft wird auch von kurzen Wegen profitiern: Vitesco und ROHM haben jeweils Werke in Nürnberg (ROHM Semiconductor Group: SiCrystal GmbH), was wiederum nicht weit von dem Vitesco Hauptquartier in Regensburg entfernt liegt.

www.vitesco-technologies.com

www.rohm.de

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