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13.08.2018

SiC-Schottky-Dioden für Ladegeräte

Leistungshalbleiter

Littelfuse stellt Siliziumkarbid-Schottky-Dioden vor. Dazu gehören fünf Bauelemente der GEN2-Reihe für 1.200 V im TO-247 Gehäuse und drei Dioden in dieser Baureihe für 1.200 V im TO-263 Gehäuse. Die Effizienz der SiC-Technologien bietet laut Hersteller zahlreiche Vorteile für Konstrukteure von zum Beispiel Ladegeräten oder Stromversorgungen.

© Littelfuse

© Littelfuse

Die 3L TO-247 GEN2 SiC-Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 10 A, 15 A, 20 A, 30 A und 40 A erhältlich. Die 2L TO-263 GEN2 SiC-Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 10 A, 15 A und 20 A erhältlich. Alle Versionen haben einen vernachlässigbaren Rückgewinnungsstrom, können hohe Stoßströme ohne thermische Entladung aufnehmen und arbeiten bei Übergangstemperaturen von bis zu 175 °C.

Die GEN2-Baureihe ist als TO-247-3L- und TO-263-2L-Variante in Röhren zu 450 Stück erhältlich.

zu Littelfuse

Unternehmensinformation

Littelfuse Europe GmbH

Julius-Bamberger-Str. 8 a
DE 28279 QZ H4M 2Z2
Tel.: 05143 93523
Fax: 0421 82873133

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