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09.05.2019

SiC-Schottky-Dioden für effizientere DC-Ladesäulen

Bauelemente

Sein Portfolio an CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Dioden erweitert Infineon Technologies mit einem TO247-2-Gehäuse. Damit können Siliziumdioden ersetzt und ein höherer Wirkungsgrad erzielt werden. Die verbesserten Kriech- und Luftstrecken von 8,7mm bieten zusätzliche Sicherheit in Einsatzgebieten, in denen mit starker Verschmutzung zu rechnen ist.

© Infineon

© Infineon

Für Ladesäulen mit Gleichstrom, Solarsysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen stehen Durchlassströme bis zu 40A zur Verfügung. Im Vergleich zu einer Siliziumdiode steigert die neue CoolSiC Diode den Wirkungsgrad in Kombination mit Silizium-IGBTs oder Super-Junction-MOSFETs laut Hersteller um bis zu einem Prozent – etwa bei Verwendung in dreiphasigen Gleichrichterschaltungen. Die Ausgangsleistung der PFC- und DC-DC-Stufen kann so nach Angaben von Infineon um 40 Prozent oder mehr erhöht werden.

Neben den für SiC-Schottky-Dioden vernachlässigbaren Reverse-Recovery-Verlusten bieten die Dioden 10A Nennstrom und können somit eine 30-A-Siliziumdiode ersetzen. Die CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Dioden in einem TO247-2 Pin-Gehäuse können ab sofort bestellt werden. Es stehen fünf Stromklassen zur Verfügung: 10A/15A/20A/30A/40A.

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