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30.03.2020

Schottky-Dioden im D²PAK-Gehäuse mit zwei Pins

Bauelemente

Infineon Technologies erweitert sein Portfolio der CoolSiC Schottky-Dioden mit 1200 V um sechs Bauelemente im D²PAK-Gehäuse mit lediglich zwei Pins. Durch Verwendung solcher SMD-Gehäuse können Designs kompakter und kostengünstiger gestaltet werden.

© Infineon

© Infineon

Beim neuen D²PAK-Gehäuse entfällt der mittlere Pin, so dass die Kriechstrecke bei 4,7 mm und die Luftstrecke zwischen den Pins bei 4,4 mm liegen. Im Vergleich zum Standard- D²PAK -Gehäuse erhöht das laut Infineon die Sicherheitsmargen deutlich. Die Dioden eignen sich für Anwendungen wie industrielle Stromversorgungen und DC-Ladestationen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Solar-String-Wechselrichter.

Die Bausteine baiseren auf der 1200V-CoolSiC Schottky-Dioden-Technologie der fünften Generation von Infineon. Sie verhindert Sperrverzögerungsverluste und ermöglicht ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten. Diese Merkmale sorgen bei Designs mit höheren Schaltfrequenzen für einen geringeren Kühlungsbedarf und kleinere passive Komponenten. Die CoolSiC Schottky-Dioden 1200 V G5 sind mit einer Nennleistung von 2 A bis 20 A im D²PAK -Gehäuse mit zwei Pins erhältlich.

In Kombination mit anderen Produkten von Infineon, wie zum Beispiel CoolSiC MOSFETs 1200 V oder TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 und EiceDRIVER Gate-Treiber-ICs können Komplettlösungen erstellt werden. Die CoolSiC Schottky-Dioden 1200 V G5 sind ab sofort erhältlich.

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