nach oben
Meine Merkliste
Ihre Merklisteneinträge speichern
Wenn Sie weitere Inhalte zu Ihrer Merkliste hinzufügen möchten, melden Sie sich bitte an. Wenn Sie noch kein Benutzerkonto haben, registrieren Sie sich bitte im Hanser Kundencenter.

» Sie haben schon ein Benutzerkonto? Melden Sie sich bitte hier an.
» Noch kein Benutzerkonto? Registrieren Sie sich bitte hier.
Ihre Merklisten
Wenn Sie Ihre Merklisten bei Ihrem nächsten Besuch wieder verwenden möchten, melden Sie sich bitte an oder registrieren Sie sich im Hanser Kundencenter.
» Sie haben schon ein Benutzerkonto? Melden Sie sich bitte hier an.
» Noch kein Benutzerkonto? Registrieren Sie sich bitte hier.

« Zurück

Ihre Vorteile im Überblick

  • Ein Login für alle Hanser Fachportale
  • Individuelle Startseite und damit schneller Zugriff auf bevorzugte Inhalte
  • Exklusiver Zugriff auf ausgewählte Inhalte
  • Persönliche Merklisten über alle Hanser Fachportale
  • Zentrale Verwaltung Ihrer persönlichen Daten und Newsletter-Abonnements

Jetzt registrieren
Merken Gemerkt
22.02.2016

MOSFET mit sehr geringem Durchlasswiderstand

Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an UMOS9 MOSFETs um einen 40-V-n-Kanal-MOSFET im innovativen DPAK+ Gehäuse. Der TK1R4S04PB ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Antriebssteuerungen im Automotive-Bereich, z.B. für Wasser-, Benzin-, und Ölpumpen, Lüfter, EPS und DC/DC-Wandler.

Der TK1R4S04PB ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Antriebssteuerungen im Automotive-Bereich, z.B. für Wasser-, Benzin-, und Ölpumpen, Lüfter, EPS und DC/DC-Wandler. © Toshiba Electronics Europe

Der neue MOSFET besitzt einen RDS(ON) von maximal 1,35mΩ bei UGS =10V und damit laut Toshiba den geringsten Wert aller derzeit erhältlichen MOSFETs im D-PAK-Gehäuse. Dazu tragen die neuartige UMOS9-Trench-Technologie bei, die RDS(ON) x A verringert, und das DPAK+ Gehäuse, das im Vergleich zu herkömmlichen DPAKs den Gehäusewiderstand senkt.

Das DPAK+ Gehäuse ist kompatibel zu Standard-DPAK-Designs und misst nur 6.5mm x 9.5mm. Es bietet eine Kupferklemme anstelle der herkömmlichen Bonddrähte. Die Klemme verfügt über eine große Kontaktfläche und wird direkt an der Metallisierung des Chips befestigt.

Der neue MOSFET wurde im Vergleich zu vorherigen Generationen auch hinsichtlich der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMC) und Schaltleistung deutlich verbessert.

Weiterführende Information
Unternehmensinformation

Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
DE 40549 Düsseldorf
Tel.: 0211 5296-0
Fax: 0211 5296-405

Diese Beiträge könnten Sie auch interessieren
Renesas autonomy

Plattform für Fahrerassistenzsysteme und automatisiertes Fahren


Mehr


Newsletter

Sie wollen immer top-aktuell informiert sein? Dann abonnieren Sie jetzt den kostenlosen Newsletter!

© masterzphotofo - Fotolia

Hier kostenlos anmelden