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12.11.2020

Kompakte MOSFETs

Verbesserte Wärmeableitung und höhere Zuverlässigkeit

Rohm bietet ultrakompakte MOSFETs in einem nur 1,0 mm x 1,0 mm großen DFN1010-Gehäuse an. Die gemäß AEC Q101 qualifizierten Bauelemente eignen sich für Anwendungen mit hoher Bestückungsdichte wie ADAS und Kfz-Steuergeräte.

© Rohm

Die MOSFETs unter der Bezeichnung RV8C010UN, RV8L002SN und BSS84X zeichnen sich durch eine um ca. 85% reduzierte Montagefläche und bis zu 65% bessere Wärmeableitung gegenüber SOT-23-Gehäusen aus. Sie verfügen über Einschaltwiderstände von typ. 340 Milliohm bis 3,5 Ohm (@Vgs = 4,5 V) und Drain-Source-Spannungen von 20 V, 60 V und –60 V. Der Drain-Strom beträgt 1,0 A, 0,25 A bzw. –0,25 A. Die Steuerspannung ist mit 1,2 V, 2,5 V und –4,5 V spezifiziert. Zudem garantiert ROHMs Wettable-Flank-Technologie die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe von 125 µm.

Um die Zuverlässigkeit von Automobilkomponenten zu gewährleisten, wird nach der Bestückung eine automatische optische Inspektion (AOI) durchgeführt. Im Falle von Bauelementen mit Bodenelektroden kann die Lötstelle jedoch nicht verifiziert werden, da die Anschlüsse nicht sichtbar sind. Dies erschwert eine visuelle Inspektion gemäß den Automobilstandards. Rohm hat diese Probleme mit seiner proprietären Wettable-Flank-Technologie gelöst, die bei Gehäusegrößen von 1,0 mm × 1,0 mm eine Elektrodenhöhe von 125 µm gewährleistet.

www.rohm.de

Unternehmensinformation

Rohm Semiconductor GmbH

Karl-Arnold-Str. 15
DE 47877 Willich
Tel.: 02154 921-0
Fax: 02154 921-400

Internet:https://www.rohm.com/
E-Mail: sales <AT> de.rohmeurope.de



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