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13.05.2019

Hybrid-IGBT in SiC-Technologie und isolierter Gate-Treiber

Leistungselektronik

Einen Hybrid-IGBT auf Siliziumkarbid-(SiC-)Basis und einen dazugehörigen isolierten IGBT-Gate-Treiber für hohe Ströme hat ON Semiconductor entwickelt. Der AFGHL50T65SQDC basiert auf der Field-Stop-IGBT- und SiC-Schottky-Diodentechnologie und ist unter anderem für Anwendungen in EV- und HEV-On-Board-Ladegeräten vorgesehen.

© ON Semiconductor

© ON Semiconductor

Der Baustein vereint einen IGBT auf Siliziumbasis mit einer SiC-Schottky-Barrierediode, was zu einem guten Kompromiss zwischen der geringeren Leistungsfähigkeit Si-basierter Lösungen und den höheren Kosten vollständig SiC-basierter Lösungen führen soll. Der AFGHL50T65SQDC ist für einen Betrieb mit 650V ausgelegt und kann Dauerströme bis 100A bei 25°C (50A bei 100°C) sowie Impulsströme bis 200A verarbeiten. Für Systeme, die eine höhere Stromtragfähigkeit erfordern, ermöglicht ein positiver Temperaturkoeffizient den Parallelbetrieb.

Der Baustein kann mit Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °C betrieben werden und eignet sich für Leistungselektronik-Anwendungen auch im Automobilbereich. Der Baustein ist AEC-Q101-qualifiziert und z.B. für den Einsatz in EV- und HEV-On-Board-Ladegeräten vorgesehen.

Isolierter IGBT-Treiber für hohe Ströme

Neben dem Hybrid-IGBT stellt ON Semiconductor auch isolierte IGBT-Treiber für hohe Ströme vor. Die Serie NCD(V)57000 eignet sich für verschiedene Leistungselektronik-Anwendungen, darunter Solarwechselrichter, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Automotive-Anwendungen für den Antriebsstrang und PTC-Heizungen.

Bei der Serie NCD(V)57000 handelt es sich um Einkanal-IGBT-Treiber für hohe Ströme mit interner galvanischer Sicherheitsisolierung. Die Bausteine verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fehler- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, eine präzise Abschaltung bei Unterspannung (UVLO), DESAT-Schutz mit Softabschaltung, einen negativen Gate-Spannungsanschluss und separate High- und Low-Treiberausgänge für die flexible Auslegung von Systemen.

Die galvanische Trennung beträgt mehr als 5 kVeff, was den Anforderungen der UL1577 entspricht. Die Arbeitsspannung ist größer als 1200V, und die Bausteine garantieren 8mm Kriechstrecke (Eingang zu Ausgang), um den Anforderungen an eine erhöhte Sicherheitsisolation gerecht zu werden. NCD(V)57000-Bausteine können 7,8A Treiberstrom liefern (Quelle) und 7,1A ziehen (Senke).

Informationen zum Hybrid-IGBT

Informationen zum isolierten IGBT-Gate-Treiber

Unternehmensinformation

ON Semiconductor Inc.

5005 East McDowell
PHOENIX, ARIZONA 85008
Tel.: +1 602 244-6600

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