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26.06.2020

CoolSiC MOSFET für Hilfsstromversorgungen

Effizienz und reduzierte Komplexität

Infineon Technologies ergänzt sein Angebot an CoolSiC MOSFETs mit einer weiteren Sperrspannungsklasse. Nach dem Launch der diskreten 650-V-SiC-MOSFETs zu Beginn dieses Jahres, folgt jetzt die 1700-V-Kategorie, ebenfalls auf Basis der proprietären Trench-Halbleitertechnologie. Diese nutzt die Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC).

Mit den oberflächenmontierbaren 1700-V-Bausteinen (SMD) ermöglichen sie eine hohe Zuverlässigkeit sowie niedrige Schalt- und Leitungsverluste. Sie zielen auf Hilfsstromversorgungen in dreiphasigen Stromwandlern ab, etwa für Motorantriebe, Ladeinfrastruktur und HVDC-Systemen.

Die CoolSiC MOSFETs 1700 V benötigen keinen separaten Gate-Treiber-IC und können direkt über den Flyback-Controller gesteuert werden. (© Infineon)

Solche Anwendungen weisen in der Regel eine geringe Leistung von weniger als 100 W auf. Entwickler bevorzugen hierfür sehr oft eine Single-Ended-Flyback-Topologie. Mit den neuen CoolSiC MOSFETs ist diese Topologie für Hilfsspannungsversorgungen, die über einen Zwischenkreis gekoppelt sind, jetzt bis zu 1000 V DC Eingangsspannung realisierbar. Gegenüber anderen 1700-V-SiC-MOSFETs liefert das CoolSiC-Bauteil einen um 0,6 Prozent höheren Wirkungsgrad.

Die MOSFETs sind für Flyback-Topologien mit +12 V / 0 V Gate-Source-Spannung optimiert und daher mit den Ausgangsstufen gängiger PWM-Controller kompatibel. Aus diesem Grund benötigen sie keinen separaten Gate-Treiber-IC und können direkt über den Flyback-Controller gesteuert werden. Der Durchlasswiderstand beträgt 450 mΩ, 650 mΩ oder 1000 mΩ. Das neue 7-polige D²PAK-SMD-Gehäuse bietet erweiterte Kriech- und Luftstrecken von über 7 mm. Damit erfüllt es die 1700-V-Applikationsanforderungen und PCB-Spezifikationen und minimiert den Isolationsaufwand für das Design.

www.infineon.com/coolsic-mosfet

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