nach oben
Meine Merkliste
Ihre Merklisteneinträge speichern
Wenn Sie weitere Inhalte zu Ihrer Merkliste hinzufügen möchten, melden Sie sich bitte an. Wenn Sie noch kein Benutzerkonto haben, registrieren Sie sich bitte im Hanser Kundencenter.

» Sie haben schon ein Benutzerkonto? Melden Sie sich bitte hier an.
» Noch kein Benutzerkonto? Registrieren Sie sich bitte hier.
Ihre Merklisten
Wenn Sie Ihre Merklisten bei Ihrem nächsten Besuch wieder verwenden möchten, melden Sie sich bitte an oder registrieren Sie sich im Hanser Kundencenter.
» Sie haben schon ein Benutzerkonto? Melden Sie sich bitte hier an.
» Noch kein Benutzerkonto? Registrieren Sie sich bitte hier.

« Zurück

Ihre Vorteile im Überblick

  • Ein Login für alle Hanser Fachportale
  • Individuelle Startseite und damit schneller Zugriff auf bevorzugte Inhalte
  • Exklusiver Zugriff auf ausgewählte Inhalte
  • Persönliche Merklisten über alle Hanser Fachportale
  • Zentrale Verwaltung Ihrer persönlichen Daten und Newsletter-Abonnements

Jetzt registrieren
Merken Gemerkt
09.04.2019

Automotive-qualifizierte SiC-MOSFETs

Stromversorgung

ON Semiconductor stellt zwei Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs vor. Die Industrieausführung NTHL080N120SC1 und der AEC-Q101 Automotive-qualifizierte NVHL080N120SC1 bieten die Leistungsvorteile von Halbleitern mit breiter Bandlücke (WBG: Wide Band Gap) für Endanwendungen. Dazu gehören beispielsweise Automotive-DC/DC- und Onboard-Ladesysteme für Elektrofahrzeuge.

© ON Semiconductor

© ON Semiconductor

Mit dieser Ankündigung erweitert das Unternehmen sein SiC-Ökosystem, das auch Bauelemente wie SiC-Dioden und SiC-Treiber sowie Ressourcen wie Bauteil-Simulationstools, SPICE-Modelle und Anwendungsinformationen umfasst. Die 1200V- und 80mΩ-SIC-MOSFETs sind robust ausgeführt. Sie verfügen über einen patentierteb Randabschluss, der die Zuverlässigkeit und Robustheit erhöht sowie für einen stabilen Betrieb sorgt. Der NVHL080N120SC1 ist für hohe Stoßströme ausgelegt und ist robust gegen Lawinendurchbrüche und Kurzschlüsse. Die AEC-Q101-Qualifizierung dieses MOSFETs und anderer SiC-Bausteine stellt sicher, dass sie in der wachsenden Zahl von Automotive-Anwendungen genutzt werden können, die sich aufgrund des zunehmenden Elektronikanteils und der Elektrifizierung des Antriebsstrangs in Fahrzeugen ergeben. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175 °C verbessert sich die Eignung der MOSFETs für Automotive-Designs.

weitere Produktinformationen

Unternehmensinformation

ON Semiconductor Inc.

5005 East McDowell
PHOENIX, ARIZONA 85008
Tel.: +1 602 244-6600

Diese Beiträge könnten Sie auch interessieren
Newsletter

Sie wollen immer top-aktuell informiert sein? Dann abonnieren Sie jetzt den kostenlosen Newsletter!

© masterzphotofo - Fotolia

Hier kostenlos anmelden