Merken 16.01.2014

650-V-SiC-Dioden im Doppel für mehr Sicherheit, Energieeffizienz und Platzersparnis

STMicroelectronics bietet neue Schottkydioden auf Siliziumkarbid-Basis (SiC) in Doppel-Konfiguration an, die als industrieweit erste Bauelemente dieser Art mit einer Nennspannung von 650 V je Diode aufwarten.

Die Produkte sind wahlweise mit gemeinsamer Katode oder in Serienschaltung verfügbar und können damit in Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC) in Interleaved-Konfiguration oder brückenloser Ausführung verwendet werden.

STPSC6/8/10TH13TI und STPSC8/12/16/20H065C für maximale Durchschnittsströme von 6 A, 8 A und 10 A bzw. 8 A, 12 A, 16 A und 20 A kombinieren die Performance-Vorteile von SiC mit der von integrierten Kombinationen aus zwei Dioden gebotenen Platzersparnis und EMV-Reduzierung. Sie eignen sich ideal für PFC-Schaltungen mit Interleaved- oder brückenloser Topologie, die die Energieeffizienz beispielsweise von Server- und Telekommunikations-Stromversorgungen, PV-Wechselrichtern oder Ladestationen für Elektrofahrzeuge verbessern.

Die Dioden vermeiden die Energieverluste, die beim Abschalten infolge der Sperrverzögerungszeit entstehen, und tragen dadurch zur Steigerung der Schalt-Effizienz bei. Die Nennspannung von 650 V bietet größere Sicherheitsreserven bei hohen Spannungsspitzen in Sperrrichtung.

In das Gehäuse der STPSCxxTH13TI-Bausteine ist eine keramische Isolation integriert, die die Anbringung an einem externen Kühlkörper erleichtert und den Verzicht auf die sonst übliche äußere Isolation erlaubt. Die Produkte STPSC6TH13TI bis STPSC10TH13TI (Serien-Konfiguration im isolierten TO-220AB-Gehäuse) und STPSC8H065C bis STPSC20H065C (mit gemeinsamer Katode im standardmäßigen TO-220AB-Gehäuse) sind umgehend lieferbar. Der STPSC20H065C ist zusätzlich im TO-247-Gehäuse verfügbar. (sh)