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10.07.2020

650-V-Galliumnitrid-FET für Elektro-Fahrzeuge

Leistungs-IC von Nexperia

Nexperia bringt neue FETs in Galliumnitrid-Hochvolt-Technik auf den Markt, die sowohl im TO-247 als auch im eigenen CCPAK-Package in SMD-Technik erhältlich sind. Die Kunden erhalten damit eine effiziente Lösung für die Energiewandlung bei 650 V. Relevante Applikationen sind hier zum Beispiel Bordladegeräte, DC/DC-Konverter und Wechselrichter in E-Fahrzeugen.

Die Bauelemente kombinieren hervorragende Schalt- und Leiteigenschaften bei mehr Stabilität und können einfach über normale Si-MOSFET-Treiber angesteuert werden. Im herkömmlichen TO-247-Gehäuse wird ein RDS(on) von lediglich 41 mΩ (max., 35 mΩ typ. bei 25 °C) bei gleichzeitiger hoher Schwellenspannung und niedriger Dioden-Durchlassspannung erreicht. Bei Nutzung des SMD-fähigen CCPAK-Packages kann der RDS(on) sogar auf 39 mΩ (max., 33 mΩ typ. bei 25 °C) verringert werden. Beide Ausführungen erfüllen die Anforderungen gemäß AEC-Q101 für den Automobilbau.

www.nexperia.com/gan-fets

Unternehmensinformation

Nexperia

Jonkerbosplein 52
NL 6534 AB NIJMEGEN

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