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10.03.2020

3-Phasen-SiC-MOSFET-Modul für Elektrofahrzeuge

Leistungselektronik

Ein 3-Phasen-SiC-MOSFET-Modul für Elektrofahrzeuge hat Cissoid entwickelt. Das Leistungsmodul ist eine Komplettlösung mit einem wassergekühlten 3-Phasen-SiC-MOSFET-Modul mit integrierten Gate-Treibern.

© Cissoid

© Cissoid

Das erste Produkt dieser skalierbaren Plattform, ein 3-Phasen-SiC-MOSFET-Modul mit 1200V/450A hat einen Einschaltwiderstand von 3,25mΩ und eine Ein-/Ausschaltleistung von 8,3 bzw. 11,2 mJ bei 600V/300A. Im Vergleich zu modernen IGBT-Leistungsmodulen reduziert das sogenannte IPM (Intelligent Power Module) die Verluste laut Hersteller mindestens um das Dreifache. Das Modul wird über eine AlSiC-Pin-Fin-Baseplate wassergekühlt, um einen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlflüssigkeit von 0,15°C/W zu ermöglichen. Das Leistungsmodul ist für Sperrschichttemperaturen bis 175°C und Isolationsspannungen bis zu 3600V (50Hz, 1min) ausgelegt.

Der integrierte Gate-Treiber enthält drei isolierte Stromversorgungen (eine pro Phase), die jeweils bis zu 5W Leistung pro Phase liefern, sodass sich das Leistungsmodul mit bis zu 25 kHz und bei Umgebungstemperaturen bis zu 125°C betreiben lässt. Der Gate-Spitzenstrom von bis zu 10A und eine Störfestigkeit gegen hohe dV/dt (>50 kV/µs) ermöglichen das schnelle Schalten des Leistungsmoduls und geringe Schaltverluste. Das Modul verfügt über folgende Schutzfunktionen: Undervoltage Lockout (UVLO), Active Miller Clamping (AMC), Entsättigungserkennung und Soft-Shut-Down (SSD).

weitere Informationen

Unternehmensinformation

Cissoid

Rue Emile Francqui 3
FR 1435 MONT-SAINT-GUIBERT

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