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27.05.2020

GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad

Leistungselektronik

Nexperia hat bekannt gegeben, dass seine GaN-FET-Technologie die Serienreife erreicht hat und ausreichend skalierbar ist, um den Anforderungen von Applikationen, die hohe Volumen benötigen, gerecht zu werden.

© Nexperia

Der Sektor Automotive mit Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeugen gehört zu den wichtigsten Zielmärkten für das Unternehmen. Vorgestellt wurde nun der 650-V-FET GAN063–650WSA, ein robustes Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V und einem Temperaturbereich von –55 °C bis 175 °C. Der FET weist dank seines niedrigen Einschaltwiderstandes von 60 mΩ und hoher Schaltgeschwindigkeiten einen sehr hohen Wirkungsgrad auf. Der GaN-FET GAN063-650WSA von Nexperia ist der erste in einem Portfolio mit GaN-Bauelementen, die Nexperia speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt. Weiterführende Informationen zum neuen GAN063-650WSA wie zum Beispiel Produktspezifikationen und das Datenblatt, finden Sie hier .

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