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15.11.2016 Anzeige

Rohm auf der electronica 2016

SiC technology at a glance – making power electronics smaller, stronger and faster

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Silicon carbide is a compound of silicon and carbon. It is produced using a crystal growth process of sublimation and exposure to high temperatures of about 2,000°C. Using this technology in power devices, ROHM, a leader in SiC applications, has achieved lower power consumption and more efficient operation. There are several benefits compared to conventional silicon:

SMALLER – System miniaturisation means reduced size and weight, which allows for improved weight distribution in motorsports and less power consumption in general.

STRONGER – Devices with SiC can work with higher voltages and currents, which increases power density and reduces switching losses even under high temperatures.

FASTER – The ultimate outcome of ROHM's partnership with Venturi. The best performance and maximised probability of speed.

The inverter for Formula E season three features embedded SiC Schottky diodes, making it 2 kg lighter than the inverter for season two. Electric efficiency has been increased by 1.7%, while the volume of heat extraction components has been reduced by 30%. But this is just a start. In season four, the SiC MOSFET integrated inverter will demonstrate drastic changes once again.


Unternehmensinformation

Rohm Semiconductor GmbH

Karl-Arnold-Str. 15
DE 47877 Willich
Tel.: 02154 921-0
Fax: 02154 921-400

Internet:http://www.rohm.com/eu
E-Mail: sales <AT> de.rohmeurope.de



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