TDK hat ihr Produktspektrum an Hybrid-Polymer-Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren erweitert und bietet nun zwei Serien in axialem Design an. Für Nennspannungen von 25 V und 35 V eignet sich die Serie B40600 / B40700. Diese deckt ein Kapazitätsspektrum von 780 µF bis 2200 µF ab. Mit der Serie B40640 / B4074* sind zudem Kondensatoren in der Spannungsklasse 63 V verfügbar mit Kapazitätswerten von 390 µF bis 720 µF. 

Neue Bauform 

Elektronische Bauelemente

Hybrid-Polymer-Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren in axialem Design 

Entwickler autonomer Fahrzeuge können jetzt mit einem einzigen System-on-a-Chip (SoC) das Sicherheitsniveau ASIL-D erreichen.  

KI-Prozessor 

NVIDIA Xavier erfüllt ASIL-D 

Da Infotainment-Systeme immer komplexer und funktionsreicher werden, nimmt die Zahl integrierter Displays in modernen Fahrzeugen erheblich zu. Von Toshiba Electronics Europe kommen jetzt zwei neue Bridge-ICs mit unterschiedlichen Display-Schnittstellen.  

Display-Schnittstellen 

Bridge-ICs mit unterschiedlichen Display-Schnittstellen  

Herkömmliche isolierte Sperrwandler für hohe Spannungen nutzen für die genaue Regelung Optokoppler, die die Regelinformationen von den sekundärseitigen Referenzschaltungen an die Primärseite übertragen, was jedoch die Komplexität isolierter Schaltungsdesigns erheblich steigert. Der LT8316 von Analog Devices dagegen arbeitet im quasiresonanten Grenzmodus und benötigt für die Regelung keinen Optokoppler.

Sperrwandler mit ausgezeichneten Lastregeleigenschaften

Elektronik

Automotive

Isolierter Sperrwandler  ohne Optokoppler

Sowohl aktive als auch passive Symmetrierung sind effektive Methoden, um durch Überwachung und Anpassung des Ladungszustands (SoC) jeder Zelle den SOH (State Of Health) zu verbessern.

Elektromobilität

Mobilität

Akkuzellen aktiv  symmetrieren

Die Komplexität der Funktionen im Fahrzeug nimmt zu, mit höherem Aufwand bei der Verkabelung, der Absicherung und vor allem der Software-Integration. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bedarf es optimierter, software- orientierter E/E-Architekturen.

Mikrocontroller für  Zonen-Steuergeräte

Ein häufig übersehenes Problem sind Spannungsspitzen, die entstehen können, wenn mit einem Elektromotor verbundene Fahrzeugteile manuell geöffnet, geschlossen oder in ihrer Lage verändert werden. Sind diese Spannungsspitzen hinreichend hoch, können sie Schäden an den angeschlossenen Bauelementen verursachen. Wie man dieses Problem unterbinden kann, zeigt dieser Beitrag.

Stromsparender Bremsmodus

Titel

Vishay präsentiert eine neue Serie metallisierter Polypropylen-Filmkondensatoren für Automobilanwendungen, die für den Einsatz in feuchten Umgebungen optimiert wurden. Die Kondensatoren der Serie MKP1848H DC-Link bestehen den THB- (Temperature Humidity Bias) Test, ohne dabei ihre elektrischen Eigenschaften zu verändern.

DC-Zwischenkreis-Filmkondensatoren

Kostengünstige HF-Spulen integriert in eine mehrschichtige Keramikstruktur – mit WE-MK bietet Würth Elektronik eine große Auswahl an SMT-bestückbaren Induktivitäten mit hoher Eigenresonanzfrequenz (bis zu fRES > 10 GHz). Vorspann

Multilayer-Keramikinduktivität

In Elektrofahrzeugen ist die thermische Überwachung aller Leistungskomponenten Grundvoraussetzung für die Sicherheit, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des gesamten Systems. Robuste TDK- und EPCOS NTC-Thermistoren  in den unterschiedlichsten Ausführungen sind dabei Schlüsselbauelemente.

Ladeprozess zuverlässig  thermisch überwachen

Vishay Intertechnology präsentiert eine Serie neuer niederohmiger, AEC-Q200 qualifizierter Miniatur-Aluminium-Elektrolytkondensatoren. Sie bieten eine hohe Ripplestrombelastbarkeit bis 3,8 A und sind für eine sehr lange Lebensdauer von 10.000 Stunden bei 105 °C spezifiziert.

Miniatur-Aluminiumkondensatoren

ROHM bietet ultrakompakte MOSFETs in einem nur 1,0 mm x 1,0 mm großen DFN1010-Gehäuse an. Die gemäß AEC Q101 qualifizierten Bauelemente eignen sich für Anwendungen mit hoher Bestückungsdichte wie ADAS und Kfz-Steuergeräte.

Kompakte MOSFETs

PREMO vervollständigt sein Angebot an Signaltransformatoren mit der SMD PLC-LW-Serie. Diese SMD-Isolationstransformatoren wurden für das Einkoppeln/Entkoppeln von Signalen für die Kommunikation über Stromleitungen gemäß IEC 15118 und IEC 61851–1 für die Ladesystemkommunikation V2G & V2V entwickelt.

Laderegelung Elektromobilität

Stromversorgung

Transformatorenfamilie für Powerline Communication

Infineon Technologies erweitert ihre Produktfamilie OPTIGA Trust um eine spezielle Lösung für gesichertes induktives Laden. Dabei handelt es sich um eine Embedded-Sicherheitslösung, die auf den Standard Qi 1.3 für kabelloses Laden ausgerichtet ist. Anwendungsbereiche sind Ladestationen für Smartphones, Tablets u.ä. mit einer Ladeleistung von bis zu 15 W.

Gesichertes induktives Laden

Mit integriertem Treiber, Schutzfunktionen und aktivem Power-Management

Texas Instruments erweitert sein Portfolio im Bereich des Power-Managements durch eine neue Generation von Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN-FETs) mit Nennspannungen von 650 V und 600 V für Anwendungen im Automotive-Bereich.

 Mit ihrem integrierten, schnell schaltenden 2,2-MHz-Gatetreiber helfen diese neuen GaN-FET-Familien Ingenieuren dabei, die Leistungsdichte zu verdoppeln, einen Wirkungsgrad von 99% zu erzielen und den Bauraum der Leistungs-Induktivitäten gegenüber bestehenden Lösungen um 59% zu reduzieren.

TI entwickelte die neuen FETs mit seinen proprietären GaN-Werkstoffen und seiner Prozesskompetenz auf einem GaN-on-Silicon-Substrat, was kostenmäßige und logistische Vorteile gegenüber vergleichbaren Substratmaterialien wie etwa Siliziumkarbid (SiC) bietet.

Die Verwendung der neuen Automotive-GaN-FETs von TI kann dazu beitragen, die Abmessungen der Bord-Ladegeräte und Gleichspannungswandler von Elektrofahrzeugen gegenüber bestehenden Si- oder SiC-Lösungen um bis zu 50% zu reduzieren, sodass die Entwickler mehr Reichweite pro B Die neuen GaN-FETs von TI enthalten einen schnell schaltenden Treiber sowie interne Schutz- und Temperatursensor-Funktionen. Diese Integration im Verbund mit der hohen Leistungsdichte der GaN-Technologie von TI gibt Ingenieuren die Möglichkeit, auf mehr als 10 Bauelemente, die in diskreten Lösungen üblicherweise benötigt werden, zu verzichten. Hinzu kommt, dass jeder der neuen 30-mΩ-FETs in Halbbrücken-Konfigurationen eine Leistung von bis zu 4 kW unterstützt.

Die neuen Bauelemente zeichnen sich unabhängig von der Anwendung durch ein Maximum an thermischer Designflexibilität aus und bieten die Möglichkeit, zwischen einem ober- oder unterseitig gekühlten Gehäuse zu wählen. Die integrierte digitale Temperaturmeldung der FETs ermöglicht ferner ein aktives Power-Management und das Optimieren der thermischen Eigenschaften eines Systems unter wechselnden Last- und Betriebsbedingungen.

Vorserien-Exemplare der neuen 600 V GaN-FETs sind ausschließlich auf <a href="http://www.TI.com" target="_blank">TI.com</a> umgehend lieferbar. Sie besitzen ein 12 mm x 12 mm großes QFN-Gehäuse. TI geht davon aus, dass die Auslieferung von Produktionsstückzahlen im ersten Quartal 2021 beginnen wird. Evaluierungsmodule können auf TI.com zu Preisen ab 199,- US-Dollar erworben werden.

<a href="http://www.ti.com/autogan" target="_blank">www.ti.com/autogan</a>

Texas Instruments Deutschland GmbH 

https://www.ti.com

110121_TI_Erster Automotive-GaN-FET

ausgabe 01/2021

ausgabe 08/2020

ausgabe 07/2020

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