AEC-Q200-qualifizierte Hochleistungswiderstände, die für die direkte Kühlkörpermontage vorgesehen sind, hat Vishay Sfernice mit den Modellen LPSA 300, LPSA 600 und LPSA 800 entwickelt. Sie sind für Automobilanwendungen optimiert.  

Elektronische Bauelemente

AEC-Q200-qualifizierte Dickschicht-Widerstände  

Neue LiDAR-ICs (Light Detection and Ranging) hat Maxim Integrated Products vorgestellt. Der Hochgeschwindigkeits-Komparator MAX40026 und die Transimpedanz-Verstärker MAX40660/MAX40661 ermöglichen laut Hersteller eine um 15 km/h schnellere autonome Fahrt bei Autobahngeschwindigkeiten als vergleichbare Lösungen.  

Transimpedanz-Verstärker und Komparator bieten 128 Kanäle für LiDAR-Modul  

Bei Endrich sind sicherheitszertifizierte Kondensatoren der Serie FH und FK von Prosperity Dielectric verfügbar.Sie wurden für die Störfestigkeit gegen Überspannungen oder Blitze entwickelt. Die Kondensatoren der FK-Serie sind Klasse X1/Y2-konform und die Kondensatoren der FH-Serie sind Klasse X2-konform. 

Kondensatoren sorgen für Blitzfestigkeit 

Beim Quarzspezialisten Petermann-Technik sind SMD-Quarze mit niedrigem Widerstand für ein schnelles und sicheres Anschwingen erhältlich. Es handelt sich u.a. um die Serien SMD03025/4 im 3,2-mm-x-2,5-mm-4-Pad-Keramikgehäuse und die Reihe SMD02016/4 im 2,0-mm-x-1,6-mm-4-Pad-Keramikgehäuse. Es sind auch Automotive-Versionen (AECQ200) in beiden Keramikgehäusen lieferbar. 

Low-ESR-Quarze gemäß AECQ200 

Einen 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der sich für Automotive-Anwendungen wie Lastschalter, Schaltnetzteile und zur Ansteuerung von Motoren eignet, hat Toshiba Electronics Europe entwickelt. Der XK1R9F10QB ist der erste Baustein der neuen U-MOS X-H Trench-MOSFET-Serie von Toshiba und wird im neuesten Halbleiterfertigungsprozess hergestellt.  

100-V-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen  

Vishay Intertechnology hat seine TNPU e3 Serie von präzisen Dünnschicht-Flachchip-Widerständen für die Automobilindustrie um die platzsparende Baugröße 0402 erweitert. Für die Widerstände von Vishay Draloric ist die Widerstandsdrift bei Nennlast (P70) über 1000 Stunden mit ¿0,05 % spezifiziert.  

Platzsparende Flachchip-Widerstände  

Die LED Synios P2720 Converted Red (CR) von Osram ist für Nebelschlussleuchten vorgesehen, die für eine gute Sichtbarkeit bei dichtem Nebel sorgen. Dabei bedient das Bauteil den Trend zur Miniaturisierung durch kleine Abmessungen. 

LED für Nebelschlussleuchten 

Eine bedrahtete, flachdrahtgewickelte Induktivität mit Nennströmen bis 150 A hat Vishay Intertechnology für Automobilanwendungen im Motorraum entwickelt. Die Induktivität IHDM-1008BC-3A von Vishay Custom Magnetics besitzt einen Kern aus einer Eisenpulverlegierung, die dem Bauteil die nötigen elektrischen Eigenschaften verleiht. 

Flachdrahtgewickelte Induktivität mit Nennströmen bis 150 A 

Um Geräte mit zentimetergenauer Positionierungstechnologie auszurüsten, bietet Glyn GPS-Antennen des Herstellers Taoglas an. Mit den Antennen ADFGP.50A.07.0100C und AGPSF.36C.07.0100C lassen sich mit einer Navigationsgenauigkeit von 1,4cm Applikationen für halbautonome Anwendungen realisieren.  

Präzise GPS-Antenne  

Seine Automotive-TACT-Schalter der SKSU Serie erweitert Alps Alpine um ein Mittelhub-Modell. Der SKSUBBE010 weist eine Betätigungskraft von 5 N und einen Schaltweg von 1,04 mm auf. Das IP67-geschützte Bauelement verfügt über Abmessungen von 5,3 mm x 5,4 mm x 4,34 mm (B x T x H) und eine Lebensdauer von 250.000 Schaltzyklen.  

TACT-Schalter mit Betätigungskraft von 5 N 

Kemet stellt eine Serie von Metallverbund-Leistungsinduktivitäten vor, die den Anforderungen des Automotive-Marktes entsprechen. Die MPXV-Serie erweitert das METCOM-Angebot und ist AEC-Q200-qualifiziert für den Einsatz im Automotive-Bereich.  

Metallverbund-Leistungsinduktivitäten  

Das Programm seiner DC/DC-Konverter hat Mornsun mit einer Automotive-Spezifikation erweitert. Der Baustein CVRC1215JD-6WR3 verfügt über eine Qualifizierung nach AEC-Q100, ist kompakt und betriebssicher.  

DC/DC-Konverter mit Qualifizierung nach AEC-Q100 

Die Smart Gateway Platform (SGP) von STMicroelectronics ist ein Entwicklungswerkzeug für das Prototyping von Smart-Gateway-Anwendungen im Automotive-Bereich. Die Plattform basiert auf Gigabit-Ethernet-Kommunikation zwischen dem ASIL-3-zertifizierten Mikroprozessor Telemaco3P und dem ASIL-D-zertifizierten SPC58/Chorus-Mikrocontroller. 

Plattform für Automotive-Gateway-Anwendungen  

Seiko Epson hat mit dem S2D13V52 ein Scaler-IC für Automobilsysteme entwickelt, der vom Host gestreamte Bildinhalte mit vergrößerter oder verkleinerter Auflösung auf einem Display ausgibt. Epson plant ein Produktionsvolumen von 100.000 Stück pro Monat für den neuen Chip. 

Video-Scaler-IC für Automobilanwendungen  

Die Applikationsprozessoren i.MX 8QuadMax- und 8QuadPlus von NXP eignen sich unter anderem für Automotive-Infotainment und für Tracking-Anwendungen. Die Bausteine sind jetzt bei Mouser Electronics erhältlich. 

NXP-Prozessoren für Infotainment-Anwendungen 

Mit integriertem Treiber, Schutzfunktionen und aktivem Power-Management

Texas Instruments erweitert sein Portfolio im Bereich des Power-Managements durch eine neue Generation von Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN-FETs) mit Nennspannungen von 650 V und 600 V für Anwendungen im Automotive-Bereich.

 Mit ihrem integrierten, schnell schaltenden 2,2-MHz-Gatetreiber helfen diese neuen GaN-FET-Familien Ingenieuren dabei, die Leistungsdichte zu verdoppeln, einen Wirkungsgrad von 99% zu erzielen und den Bauraum der Leistungs-Induktivitäten gegenüber bestehenden Lösungen um 59% zu reduzieren.

TI entwickelte die neuen FETs mit seinen proprietären GaN-Werkstoffen und seiner Prozesskompetenz auf einem GaN-on-Silicon-Substrat, was kostenmäßige und logistische Vorteile gegenüber vergleichbaren Substratmaterialien wie etwa Siliziumkarbid (SiC) bietet.

Die Verwendung der neuen Automotive-GaN-FETs von TI kann dazu beitragen, die Abmessungen der Bord-Ladegeräte und Gleichspannungswandler von Elektrofahrzeugen gegenüber bestehenden Si- oder SiC-Lösungen um bis zu 50% zu reduzieren, sodass die Entwickler mehr Reichweite pro B Die neuen GaN-FETs von TI enthalten einen schnell schaltenden Treiber sowie interne Schutz- und Temperatursensor-Funktionen. Diese Integration im Verbund mit der hohen Leistungsdichte der GaN-Technologie von TI gibt Ingenieuren die Möglichkeit, auf mehr als 10 Bauelemente, die in diskreten Lösungen üblicherweise benötigt werden, zu verzichten. Hinzu kommt, dass jeder der neuen 30-mΩ-FETs in Halbbrücken-Konfigurationen eine Leistung von bis zu 4 kW unterstützt.

Die neuen Bauelemente zeichnen sich unabhängig von der Anwendung durch ein Maximum an thermischer Designflexibilität aus und bieten die Möglichkeit, zwischen einem ober- oder unterseitig gekühlten Gehäuse zu wählen. Die integrierte digitale Temperaturmeldung der FETs ermöglicht ferner ein aktives Power-Management und das Optimieren der thermischen Eigenschaften eines Systems unter wechselnden Last- und Betriebsbedingungen.

Vorserien-Exemplare der neuen 600 V GaN-FETs sind ausschließlich auf <a href="http://www.TI.com" target="_blank">TI.com</a> umgehend lieferbar. Sie besitzen ein 12 mm x 12 mm großes QFN-Gehäuse. TI geht davon aus, dass die Auslieferung von Produktionsstückzahlen im ersten Quartal 2021 beginnen wird. Evaluierungsmodule können auf TI.com zu Preisen ab 199,- US-Dollar erworben werden.

<a href="http://www.ti.com/autogan" target="_blank">www.ti.com/autogan</a>

Texas Instruments Deutschland GmbH 

www.ti.com

110121_TI_Erster Automotive-GaN-FET

Elektronik

Automotive

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