Die Bauteile wurden für den Einsatz in Ladekontroll-Schaltern für Lithium-Ionen-Sekundärbatterien oder Power-Management-Schaltern optimiert. Sie zeichnen sich durch einen gegenüber den Vorgängerprodukten um bis zu 50 Prozent reduzierten Arbeitswiderstand und eine um bis zu Faktor drei reduzierte Gehäusegröße aus.
Spitzenmodel ist der in einem nur 3,3 x 3,3 mm2 großen HVSON-Gehäuse untergebrachte P-Kanal-MOSFET µPA2812T1L mit einem Arbeitswiderstand von 4,2 mΩ. Das HVSON-Gehäuse ist so ausgelegt, dass die Verlustwärme aus dem Inneren des Gehäuses über den offen liegenden Lead-Frame an die Leiterplatte abgegeben werden kann. Durch diese besonders effiziente Wärmeableitung lassen sich beispielsweise wesentlich kompaktere Li-Ionen-Akkus entwickeln. (oe)
