Anstatt der teuren GaAs-Technologie verwendet Infineon zukünftig einen Silizium-Germanium-Prozess bei Transceiver-ICs für Radarsysteme. Damit lassen sich nicht nur die Herstellungskosten reduzieren, auch eine bessere Reproduzierbarkeit und Homogenität im Vergleich zu Gallium-Arsenis ist damit gegeben. Zudem lassen sie sich auf 8-Zoll-Wafer fertigen, sind im Handling unempfindlicher und können bis auf wenige Zwischenschritte auf Standardanlagen gefertigt und für Automotive-Anwendungen getestet werden.
