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MOSFET mit sehr geringem Durchlasswiderstand

22.02.2016 - Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an UMOS9 MOSFETs um einen 40-V-n-Kanal-MOSFET im innovativen DPAK+ Gehäuse. Der TK1R4S04PB ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Antriebssteuerungen im Automotive-Bereich, z.B. für Wasser-, Benzin-, und Ölpumpen, Lüfter, EPS und DC/DC-Wandler.

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Der TK1R4S04PB ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Antriebssteuerungen im Automotive-Bereich, z.B. für Wasser-, Benzin-, und Ölpumpen, Lüfter, EPS und DC/DC-Wandler. © Toshiba Electronics Europe

Der neue MOSFET besitzt einen RDS(ON) von maximal 1,35mΩ bei UGS=10V und damit laut Toshiba den geringsten Wert aller derzeit erhältlichen MOSFETs im D-PAK-Gehäuse. Dazu tragen die neuartige UMOS9-Trench-Technologie bei, die RDS(ON) x A verringert, und das DPAK+ Gehäuse, das im Vergleich zu herkömmlichen DPAKs den Gehäusewiderstand senkt.

 

Das DPAK+ Gehäuse ist kompatibel zu Standard-DPAK-Designs und misst nur 6.5mm x 9.5mm. Es bietet eine Kupferklemme anstelle der herkömmlichen Bonddrähte. Die Klemme verfügt über eine große Kontaktfläche und wird direkt an der Metallisierung des Chips befestigt.

 

Der neue MOSFET wurde im Vergleich zu vorherigen Generationen auch hinsichtlich der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMC) und Schaltleistung deutlich verbessert.



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