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High-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber

17.02.2016 - Toshibas neuer High-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber lässt sich über einen 3,3V-Logikeingang ansteuern und bietet Schutz gegen Kurzschluss sowie Diagnosefunktionen. Zusätzlich verhindert er Rückströme auf sich selbst, die im Verpolungsbetrieb der Batterie entstehen.

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Der TPD7104AF eignet sich für Automotive-Anwendungen wie Leistungs-/Trennschalter in Start-Stopp-Systemen, Halbleiter-Relais in ECUs (Electronic Control Units) und Verteiler im 12V-Bordsystem.© Toshiba

Der TPD7104AF eignet sich für Automotive-Anwendungen wie Leistungs-/Trennschalter in Start-Stopp-Systemen, Halbleiter-Relais in ECUs (Electronic Control Units) und Verteiler im 12V-Bordsystem.

 

Aufgrund der integrierten Ladungspumpe lässt sich durch die Kombination des Gate-Treibers TPD7104AF mit einem n-Kanal-Leistungs-MOSFET ein Halbleiter-Relais einfach erstellen. Wird ein Shunt-Widerstand hinzugefügt, lassen sich auch der Schutz gegen Kurzschluss und die Diagnosefunktionen nutzen.

 

Der TPD7104AF weist bei Verpolung einen sehr geringen Leckstrom am Ausgang auf: IREV=-1uA (min) (@ Tj=25°C). Der Baustein wird im kompakten PS-8-Gehäuse mit den Abmessungen 2,8mm x 2,9mm ausgeliefert.



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