Vishay Intertechnology hat sein Angebot an Optoelektronikbauteilen um die neuen, AEC-Q101-qualifizierten Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden VEMD25x0X01 und NPN-Planar-Fototransistoren VEMT25x0X01 erweitert. Die neuen Fotodetektoren in einem nur 2,3 mm x 2,3 mm x 2,8 mm großen 1,8-mm-Gullwing- oder Reverse-Gullwing-SMD-Gehäuse sind für sichtbares Licht und Nah-Infrarot-Strahlung empfindlich.
Die Fotodioden haben einen Hellstrom von 12 µA und sind für Wellenlängen zwischen 350 nm und 1120 nm empfindlich. Die Fototransistoren haben einen Hellstrom von 6 mA und sind für Wellenlängen zwischen 470 nm und 1090 nm empfindlich. Die Fotodioden/-transistoren VEMD25x0X01 und VEMT25x0X01 haben einen Dunkelstrom von 1 nA, einen 50%-Empfindlichkeitswinkel von ±15° und einen Betriebstemperaturbereich von –40 °C bis +100 °C.
