Renesas Electronics: 40-nm-Embedded-Flash-IP für Automotive-Anwendungen
15-12-11
Renesas Electronics gibt die Entwicklung des ersten 40 nm Speicher-IPs (Intellectual Property) für Echtzeit-Anwendungen in der Automobilelektronik bekannt. Erste Muster sollen nach Firmenangaben bis Herbst 2012 verfügbar sein.
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Das Flash-Memory-IP garantiert einen Datenerhalt von 20 Jahren und ermöglicht einen Lesebetrieb bis zu 170 °C Sperrschicht-Temperatur. Außerdem ermöglicht der Code-Flashspeicher einen Lesezugriff mit 120 MHz. Der Daten-Flashspeicher erzielt mit einer Datenerhaltszeit von 20 Jahren selbst nach 125.000 Program/Erase-Zyklen einen Branchenrekord. (oe)
