Fujitsu Semiconductor Europe beliefert ihre Kunden inzwischen mit Mustern des neuen SPI FRAMs in 0,18-µm-Technologie und nähert sich damit dem Ende des Migrations-Prozesses von der 0,35- zur 0,18µm-Technologie.

Die neue SPI-FRAM-Familie von Fujitsu umfasst drei Typen: MB85RS256A, MB85RS128A und MB85RS64A mit Speicherdichten von 256, 128 und 64 Kbit.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) kombiniert die hohe Schreibgeschwindigkeit von SRAMs mit nichtflüchtigem Flash in einem Produkt. Die neue SPI-FRAM-Familie umfasst drei Typen: MB85RS256A, MB85RS128A und MB85RS64A mit Speicherdichten von 256, 128 und 64 Kbit. Alle Bausteine arbeiten in einem Spannungsbereich von 3,0 bis 3,6V und sind für 10 Mrd. Schreib-/Lesezyklen und eine Datenerhaltung über 10 Jahre bei 55°C ausgelegt. Die Betriebsfrequenz wurde auf max. 25 MHz erhöht.

Da FRAM-Produkte für den Schreibvorgang keine Ladungspumpe benötigen, eignen sie sich auch sehr gut für stromsparende Anwendungen. Die Produkte werden im 8-Pin-Kunststoff-SOP-Gehäuse mit Standard-Pin-Belegung angeboten und sind somit vollständig kompatibel mit E²PROM-Bausteinen.

Außer der SPI-FRAM-Familie bietet Fujitsu auch FRAM-Bausteine mit I²C und Parallel-Interfaces. Die Speicherdichten reichen von 16 Kbit bis 4 Mbit.

FRAM-Speicherbausteine sind verbreitet in Anwendungen wie Zählern, der Mess- und Automatisierungstechnik. FRAMs können in idealer Weise alle batteriegepufferten Lösungen ersetzen und den Kunden umweltfreundliche Produkte ermöglichen. (sh)