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Der schematische Prozess zeigt die Entstehung eines
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Die neuen Dünnfilm-basierten LED-Chips befinden sich bereits im Pilotstatus und werden unter realen Bedingungen getestet. Laut Dr. Peter Stauss, Projektleiter bei Osram Opto Semiconductors, wurde die Qualität der Gallium-Nitrid-Schichten auf den Silizium-Substraten so optimiert, dass Effizienz und Helligkeit marktfähige Werte erreicht haben, zudem beweisen Belastungstest die LED-Qualität und Robustheit.
Die blauen UX:3 Chips im Standard-Gehäuse Dragon Plus erreichen eine Helligkeit von 634 mW bei einer Spannung von 3,15 Volt, was einer Leistungseffizienz von 58 Prozent entspricht. Als weiße LED entsprechen diese Prototypen 140 lm bei 350 mA mit einer Effizienz von 127 lm/W bei 4500 K.
"Damit sie sich flächendeckend in der Beleuchtung durchsetzen, müssen LED-Komponenten einfach noch deutlich günstiger werden und das bei gleich bleibend hoher Qualität und Leistung", betont Stauss.
Aufgrund seiner Verarbeitung in der Halbleiterindustrie, der Verfügbarkeit großer Scheibendurchmesser und seiner sehr guten thermischen Eigenschaften ist Silizium eine attraktive und kostengünstige Option für die Lichtmärkte der Zukunft.
Das Projekt wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung im Rahmen des Projektverbundes „GaNonSi“ gefördert. (ai)
