Die mit einer Diode gemeinsam in einem D2Pak-Gehäuse untergebrachten IGBTs sind durch einen Nennstrom von 24 A sowie eine Mindest-Kurzschlussfestigkeit von 5 μs gekennzeichnet. Die neuen Bausteine bieten darüber hinaus eine niedrige VCE(on) zur Verringerung der Verlustleistung sowie zum Erzielen einer höheren Leistungsdichte, außerdem ist der Baustein wegen eines positiven VCE(on)-Temperaturkoeffizienten besonders gut zur Parallelschaltung geeignet.
Zudem zeichnen sie sich durch einen optimierten rechteckförmigen, sicheren Reverse-Bias-Arbeitsbereich (RBSOA) und eine Betriebstemperatur von bis zu 175 °C aus. Der IGBT ist zusätzlich auch in TO-262- und TO-220-Gehäusen für standardmäßige Durchsteckmontage lieferbar. (oe)
