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Die Abmessungen des neuen H-PSOF-Gehäuses sind etwa 20% kleiner als bei heutigen D2PAK-Gehäusen und seine Gehäusehöhe beträgt etwa nur die Hälfte.
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Das neue TO-Gehäuse entspricht dem JEDEC-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat lead). Eingesetzt wird es für Hochstrom-Anwendungen wie im Batteriemanagement für Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge, in der elektrischen Servolenkung (EPS) oder der aktiven Lichtmaschine.
Durch verbesserte Leistungselektronik-Komponenten ist es möglich, die gesetzlichen Vorgaben für die Effizienz von Automobilen zu erfüllen und gleichzeitig die Emission zu senken. Dafür müssen Durchlasswiderstände gesenkt bzw. der Wirkungsgrad erhöht werden. Mit den ersten Produkten in den H-PSOF-Gehäusen bietet Infineon 40-V-MOSFETs mit einer Stromtragfähigkeit von bis zu 300A bei R DS(on)-Werten von nur 0,76 mΩ. Zudem sind beim H-PSOF-Gehäuse im Vergleich zu herkömmlichen D 2PAK (TO-263)-Gehäusen die Abmessungen etwa 20 Prozent kleiner als bei heutigen D 2PAK-Gehäusen.
Weitere Vorteile bietet das H-PSOF-Gehäuse auch bei der Fertigung und Bestückung. Durch sein spezielles Design wird eine gute Benetzung für ein zuverlässiges Löten erreicht. Außerdem lassen sich die Lötanschlüsse mittels automatischer, optischer Inspektion (AOI) untersuchen.
Das erste verfügbare Produkt im H-PSOF-Gehäuse ist der IPLU300N04S4-R7 aus der 40-V-MOSFET-Familie OptiMOS T2, welcher einen kontinuierlichen Drain-Strom (I D) von 300 A mit einem R DS(on) von nur 0,76 mΩ bietet. Die Leistungs-Bauelemente im H-PSOF-Gehäuse sind gemäß AEC-Q101 qualifiziert. Infineon wird im neuen H-PSOF-Gehäuse weitere Automobil-MOSFETs mit Spannungen von 40 V und 30 V auf den Markt bringen. (ai)
